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Symposium "Nichtflüchtige Festkörperspeicher"
Nichtflüchtige schnelle Datenspeicher versprechen eine Reihe von Vorteilen gegenüber
flüchtigen Speichern, da die gespeicherten Daten auch bei fehlender oder ausfallender
Netzspannung nicht verloren gehen. Ein besonders aussichtsreiches Anwendungsfeld für solche
Speicher sind kleine, portable Geräte (Mobiltelefone, Handheld PCs, Smartcards u.a.).
Gelänge es, solche Speicher auch mit hoher Datendichte im Gbit-Bereich herzustellen,
könnten diese sogar die gegenwärtigen DRAMs als Arbeitsspeicher in PCs ersetzen, so daß
z.B. das zeitraubende Booten von PCs wegfallen würde. Für schnelle nichtflüchtige Festkörperspeicher
werden gegenwärtig eine Reihe von physikalischen Konzepten verfolgt, von denen die meisten sich
grundsätzlich durch Kompatibilität zur Silizium-basierten Mikroelektronik auszeichnen.
Diese Konzepte bieten unterschiedliche Vor- und Nachteile für unterschiedliche
Anwendungsfelder, und sie sind unterschiedlich weit fortgeschritten. Neben den
grundlegenden Materialfragen, die sich stellen, sind physikalische Sachverhalte verantwortlich
für die jeweils erzielbaren Eigenschaften. Ziel des Symposiums ist es, die physikalischen
und materialwissenschaftlichen Grundlagen dieser unterschiedlichen Konzepte vorzustellen,
vergleichend und kritisch zu hinterfragen, sowie einen Überblick über den erreichten
Entwicklungsstand zu geben.
Hauptvortragende:
Prof. Heinrich Kurz (RWTH Aachen, D) - Generelle Aspekte; Phase-Change Memories;
Quantendot Flash Memories
Dr. Gill Lee (Infineon/Altis Semiconductor, Corbeil-Essonnes, F) - MRAM principles
Prof. Jean-Marc Triscone (Université de Genève, CH) - FRAM principles
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